2024年慕尼黑上海光博會于3月20—22日舉行，陜西光電子先導院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵（GaAs）IPD晶圓、氮化鎵（GaN）HEMT晶圓4項成果亮相，展位上的各項產品吸引了眾多參觀者駐足、交流。

據光電子先導院技術人員介紹，“研發技術團隊僅用了6個月的開發周期，就完成了VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓2款產品的全流程工藝開發，通過了1000H的高溫高濕、高溫帶電、冷熱沖擊等可靠性測試，并發布了PDK（Process Design Kit，工藝設計套件）。這意味著公司已經具備了相應的工藝代工能力。”

此外，“基于常開型GaN HEMT 技術，公司研發技術團隊還完成了器件不同技術路線工藝流程的開發；針對GaAs無源器件模型，開發了無源器件成套工藝，完成薄膜電阻、平板電容、螺旋電感等器件的建模。公司已經具備GaN HEMT 、GaAs無源器件共性基礎工藝能力，正在進一步優化器件性能，可同步對接研發流片需求”，光電子先導院技術人員說。

本屆光博會，來自海內外的1200家光電行業的領軍企業齊聚于此，共同探索光電行業的未來發展方向，聚焦新技術、新趨勢，成為詮釋“新質生產力”的風向標。

“光子行業的發展，將推動信息技術和新型工業化質的飛躍，是新質生產力的典型代表。”陜西光電子先導院總經理楊軍紅認為，隨著人工智能、航空航天、智能制造、新能源、生命科學的蓬勃發展，光子產業的發展也逐漸進入快速增長期。

作為陜西省光子產業鏈“鏈主”企業，陜西光電子先導院以“暢鏈”和“延鏈”進行帶動，目前陜西全省光子產業企業已發展到300余家、產值300余億元，形成了光子領域全國創新版圖中的“陜西生產力”。

楊軍紅表示，“光電子先導院一直把為光子企業提供研發、中試、測試、工程化服務作為核心價值，先進光子器件工程創新平臺為更多項目提供‘化合物+硅光芯片’全流程服務，吸引更多的光電子芯片創新主體融通匯集、聚鏈成群。”

為了拓展工程平臺“1+N”的服務模式，除了VCSEL主平臺工藝的開發外，陜西光電子先導院在2023年還同步進行砷化鎵IPD無源器件和GaN HEMT共性基礎工藝平臺開發。截至2023年末，已完成了基礎工藝的開發，并經過多輪流片驗證，工藝過程參數均符合指標要求，工藝過程可控。

為進一步培育光子產業競爭新優勢，陜西光電子先導院將對現有平臺進行升級。一方面，擬對現有化合物光子器件中試平臺進行升級擴能，新增高可靠車規級激光器芯片工藝設備；另一方面擬新建先進硅光集成技術創新平臺，新增硅光工藝設備，開發先進硅光集成芯片工藝技術，具備硅光工藝研發、中試能力。

據介紹，擴能升級完成后，光電子先導院將實現“化合物+硅光芯片”全流程的研發、試驗、中試能力，有效助力解決光子領域長期存在的科研和市場“兩張皮”“大科技小產業”等問題。也將有效助力消除科技創新中的“孤島現象”，使光子產業創新成果更快轉化為現實生產力，推動實體經濟發展。

（來源:新華絲路）